典型P阱COMS工艺设计规则浅究

典型P阱COMS工艺设计规则的确定:

上图是按最小尺寸设计的传输门加反相器间距的部分版图。在d1到d17中,d9与d17比较难以判断,特在此进行研究。根据典型P阱COMS工艺设计规则,d9应根据设计规则3.3,也就是场区多晶硅与有源区的最小距离。这里牵涉到两个名词:场区多硅晶与有源区。下面是EETOP论坛中《有源区与扩散区的区别》一文中,chenhongtv关于这两个名词的解释

源区、沟道区和漏区合称为MOS管的有源区(Active),而有源区之外的区域定义为场区(Fox)。有源区和场区之和就是整个芯片表面。
Fox + Active = Surface

由以上一段话,可以容易的知道在d9的左侧是反相器中的源区、漏区其中之一(具体是什么我也不敢确定,对于传输门的集成电路设计还没有学习),换句话说,也就是有源区。而在d9的右侧,是多晶硅(poly),而其下面对应的不是有源区,也就是场区,为区别于位于有源区上的多晶硅,我们称之为场区多晶硅。由以上所述,d9所对应的规则为设计规则3.3。比较容易发生的错误是,将其设计规则当成是5.4,N+区与栅边缘的最小距离,这个设计规则在N+区才适合,也就是有源区才适用。具体见下图:

图 1

接下来我们讨论一下d17设计规则的确定。d17由设计规则3.4确定:“多晶硅栅在有源区的最小伸展”。具体设计规则的使用方式见下图。其所说的多晶硅栅在有源区的最小伸展是指多晶硅栅超出有源区的长度。

图 2

最后,再引用EETOP上一位大神的话:

active 又叫diff ,又叫thin oxide,它对应于场氧,比较薄,目的是inp 扩散后 足够薄的active的地方能有形成mos的条件,场氧的地方不会,poly 铺上去,经过active的地方因为氧化层薄,低压可以感应载流子,场氧因为厚,无法感应,所以mos的width 只算active区不算inp区。
所以把active 理解为氧化层的坑,inp理解为注入。(cont 和via 一样是氧化层的洞)

其中所说的是thin oxide指在COMS制作过程生成的薄氧化层,薄氧化层是N-阱或P-阱所在区域。而较厚一点的氧化层就是场氧。N+、P+区都是形成于薄氧化层区的。

图  3

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