胡正明:FinFET

发布于 2016-06-26  1.51k 次阅读


国家IC人才培养平台的微信公众平台很早就推送了关于胡正明教授FinFET讲座的通知。作为系列高级国际讲座之第二十三期,国际半导体最新技术和应用研讨会,FinFET的发明人胡正明教授将从基本概念到未来趋势给我们进行完整系统的讲述。

讲座非常幸运在南京举行,本来研讨会注册费用600元/人,不过IROI的张师兄为我们争取到了二十几个免费名额,在此衷心感谢张师兄。能参加这种高水平讲座,对于我这种江湖小虾米真是荣幸之至。发表一篇博文,以示纪念。

以下为Intel使用FinFET制造25nm及以下处理器有相关视频与文档:

The Making of a 22 nm Chip

14 nm Process Technology: Opening New Horizons

FinFET技术发明人胡正明教授


讲座感想:

胡正明教授,FinFET的技术发明人,为我们从基本概念到未来趋势全方面讲述了FinFET。MOSFET已出现了几十年,当摩尔定律走到25nm以下时,急需新的技术改革来维持半导体的持续发展,这一点,胡教授做到了。但更关键的,是他在发明FinFET时的智慧眼光与远见。洞察leakage的根本,给出解决方案,并看到未来的发展前景,选择FinFET深入研究,并得到BSIM支持产业发展。胡教授在研究的分岔路上,总能以理性与理论选择正确可靠的道路,既是学术的高深造诣,也是科研精神上的严谨与冷静,这一切都是值得我们后辈学习并深思的。


公交车司机终于在众人的指责中将座位让给了老太太